Samsung SODIMM, DDR4, 8GB, 3200MHz, Single Stick

Name: Samsung SODIMM, DDR4, 8GB, 3200MHz, Single Stick
Brand: Samsung
SKU: 1044615
Price: 27.93 EUR
Availability: InStock

Nuotrauka gali skirtis nuo tikrojo gaminio, gali būti priedų ir dalių, kurios nepateikiamos kartu su tikruoju gaminiu.

ID: 1044615 Produkto kodas: M471A1G44CB0-CWE

Galima užsisakyti 67 vnt. Prieinamumas: 14 dienų po užsakymo patvirtinimo

Garantija: 2 metų

Palyginkite

Pristatymo parinktys Daugiau apie pristatymą

Pristatymas į Smartpost siuntų skyrių 1,99 €: 10.12.2024
Atsiimkite Omniva terminale 1,99 €: 10.12.2024
Pristatymas į Lietuvos paštą 1,99 €: 10.12.2024
Pristatymas per kurjerį 3,99 €: 10.12.2024

Pagrindiniai produkto parametrai Visi parametrai

Apimtis: 8 GB
Atminties tipas: DDR4
CL: N/A
KIT: Single module
Maksimalus takto dažnis: 3200 MHz

Visi parametrai

Apimtis 8 GB

Atminties apimtis megabitais.

Šiuolaikinės operacinės sistemos reikalavimai stabiliam ir sparčiam kompiuterio darbui yra 1Gb, ar daugiau operatyvinės atminties. MS Windows 7 (64 bitų) naudojimui reikia mažiausiai 2Gb operatyvinės atminties pilnam funkcionalumui.
Dvigubo atminties režimo palikymui reikia įdiegti atmintį poromis, kuriose abu atminties moduliai būtų vienodos apimties.

Atminties tipas DDR4

Operatyviosios atminties tipas. Vienoje pagrindinėje plokštėje galima naudoti tik vieno tipo operatyviosios atminties modulius.

Parametrų standartai:

*Prieš pirkdami operatyviąją atmintį turėtumėte patikrinti, ar pagrindinėje plokštėje yra atitinkamas atminties lizdas ir ar ji palaiko atitinkamo tipo atmintį .

CL N/A

CL – atminties ciklą slopiną milisekundės. Vienoje pagrindinėje plokštėje galima naudoti vienodas CL atmintis. Mažesnis CL laikas reiškia didesnį spartumą, tačiau ne visos pagrindinės plokštės gali stabiliai dirbti su greita atmintimi. Prieš įsigydami atmintį, įsitikinkite, ar Jūsų pagrindinė plokštė palaiko Jūsų apsirinktos atminties CL laiką.

KIT : Single module

Maksimalus takto dažnis 3200 MHz

Atminties spartaus darbo maksimumas megahercais. Aukšto takto dažnio atmintis dirba žemo takto dažnio režime, pav., DDRII800 atmintis dirbs DDRII667 ir DDRII533 režimais. O integravus DDRII667 atmintį kartu su DDRII800 atmintimi, pagrindinė plokštė dirbs DDRII667 režimu. Prieš įsigydami sparčiai dirbančią atmintį, įsitikinkite, ar pagrindinė plokštė palaiko atitinamą atminties takto dažnį (greitį).

Išsamesnė specifikacija

dimensionalWeight - 1
dydisX - 70
Funkcijos - Atminties formos veiksnys - 260 kontaktų SO-DIMM
Funkcijos - Atminties išdėstymas (moduliai x dydis) - 1 x 8 GB
Funkcijos - Atminties taktinis greitis - 3200 MHz
Funkcijos - atminties įtampa - 1.2 V
Funkcijos - buferinės atminties tipas - Neregistruotas (be buferio)
Funkcijos - CAS vėlavimas - 22
Funkcijos - ECC - Ne
Funkcijos - Komponentas, skirtas - Nešiojamasis kompiuteris
Funkcijos - modulio konfigūracija - 1024M x 64
Funkcijos - Vidinė atmintis - 8 GB
Funkcijos - Vidinės atminties tipas - DDR4
garantijaType - G
producerCode - M471A1G44CB0-CWE
productName - Integral 8GB operatyviosios atminties modulis DDR4 3200MHZ EQV. TO M471A1G44CB0-CWE F/ SAMSUNG atminties modulis 1 x 8 GB
productSize - Normalus
sizeY - 30
sizeZ - 4
svoris - 10
warrantyLength - 24

dimensionalWeight - 1
sizeX - 70
Features - Memory form factor - 260-pin SO-DIMM
Features - Memory layout (modules x size) - 1 x 8 GB
Features - Memory clock speed - 3200 MHz
Features - Memory voltage - 1.2 V
Features - Buffered memory type - Unregistered (unbuffered)
Features - CAS latency - 22
Features - ECC - No
Features - Component for - Laptop
Features - Module configuration - 1024M x 64
Features - Internal memory - 8 GB
Features - Internal memory type - DDR4
warrantyType - G
producerCode - M471A1G44CB0-CWE
productName - Integral 8GB LAPTOP RAM MODULE DDR4 3200MHZ EQV. TO M471A1G44CB0-CWE F/ SAMSUNG memory module 1 x 8 GB
productSize - Normal
sizeY - 30
sizeZ - 4
weight - 10
warrantyLength - 24